Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Heterostrukturen

HL 4.9: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 12:30–12:45, H14

Einfluß der Verringerung der Elektronendichte auf elementare Anregungen eines 2D-Elektronengases. — •U. Haboeck¹, A.R. Goñi¹, M. Danckwertz¹, C. Thomsen¹ und K. Eberl² — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, D-70569 Stuttgart

In einer modulationsdotierten GaAs/AlGaAs-Einzelquantentopfstruktur wurden kollektive Ladungsträger- und Spindichteanregungen des 2D-Elektronengases mittels inelastischer Lichtstreuung nachgewiesen. Die Elektronendichte konnte durch Anlegen einer Spannung zwischen einer aufgetragenen Metallschicht und einem Rückkontakt verringert werden, woraus veränderte Beiträge zur Elektron-Elektron-Wechselwirkung resultieren. Die Spannung bewirkt ferner eine Verkippung der Bänder und damit eine Zunahme des Intersubbandabstandes. Fällt dieser in den Frequenzbereich der optischen GaAs-Phononen kommt es zur Kopplung zwischen Ladungsträgerdichteanregung und LO-Phonon, was sich durch das Anticrossingverhalten der beiden kollektiven Moden bemerkbar macht.