Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 42: Elektronentheorie

HL 42.13: Talk

Friday, March 31, 2000, 13:30–13:45, H14

Modellierung der Wasserstoffkomplex-Bildung bei nass- chemischem Ätzen — •Steffen Knack und Jörg Weber — Institut für Tieftemperaturphysik, TU Dresden, Zellescher Weg 16, 01062 Dresden

Aufgrund der Fähigkeit von Wasserstoff, sowohl flache als auch tiefe Defekte in Halbleitern zu passivieren, sind die Wechselwirkungen von Wasserstoff mit Störstellen von besonderem Interesse. Das Ätzen von Proben in wässrigen Säuren stellt eine einfache Methode dar, Wasserstoff in den oberflächen-nahen Bereich von Halbleitern einzubringen.

Wie in [1] gezeigt, lässt sich die Kinetik der Komplexbildung zwischen Wasserstoff H und einem im Halbleiter vorliegenden Defekt X mit einem einfachen Modell analytisch beschreiben. Ein System gekoppelter, partieller Differentialgleichungen bildet die Diffusion und den Einfang von Wasserstoff ab. Als stationäre Lösungen dieses Systems erhält man die Konzentrationsprofile der entstehenden Wasserstoffkomplexe.

Wir stellen eine Erweiterung des Modells vor, die sowohl die Eindiffusion des Wasserstoffs nach Ende des Ätzvorgangs als auch eine konzentrationsabhängige Einfangzeit für freien Wasserstoff berücksichtigt. Am Beispiel der Kupfer- Wasserstoff Komplexen in Silizium zeigen wir, dass sich durch aus gemessenen Konzentrationsprofilen ( DDLTS ) quantitative Werte für die Einfangradien der verschiedenen Komplexe CuH_i (i = 0..2) erhalten lassen.

[1] O. V. Feklisova, N. A. Yarykin, Semicond. Sci. Technol. 12, 742 (1997)