HL 42: Elektronentheorie
Friday, March 31, 2000, 10:30–13:45, H14
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10:30 |
HL 42.1 |
Halbklassische Modellierung von Quantenbauelementen — •S. Hackenbuchner, G. Zandler, J.A. Majewski und P. Vogl
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10:45 |
HL 42.2 |
Modellierung von Silizium-kompatiblen resonanten Tunnelbauelementen — •C. Strahberger und P. Vogl
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11:00 |
HL 42.3 |
Ab-initio Modellierung von tiefen Lumineszenzen in β-GaN — •Uwe Gerstmann und Harald Overhof
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11:15 |
HL 42.4 |
Berechnung von Bindungseigenschaften in III-V Nitriden: Ein Testfall für gradientenkorrigierte Dichtefunktionale und Pseudopotentialverfahren — •Martin Fuchs, Juarez L.F. da Silva, Catherine Stampfl, Jörg Neugebauer und Matthias Scheffler
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11:30 |
HL 42.5 |
Exact exchange (EXX) and GW calculations of the bulk electronic structure of Si, Ge, BeSe, BeTe, MgSe and MgTe — •Andrzej Fleszar
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11:45 |
HL 42.6 |
Quasiparticle calculations of the band structure of HgSe, HgTe and β-HgS — •Andrzej Fleszar and Werner Hanke
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12:00 |
HL 42.7 |
Polar GaN surfaces: comparison between LDA and GGA — •Andreia Rosa, Martin Fuchs, and Jörg Neugebauer
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12:15 |
HL 42.8 |
Effiziente Darstellung der Greenschen Funktion in Elektronenstrukturrechnungen — •A. Schindlmayr, M. Scheffler und R. W. Godby
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12:30 |
HL 42.9 |
Effect of interface roughness on optical intraband transitions — •M. Hackenberg, C. Metzner, and G.H. Döhler
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12:45 |
HL 42.10 |
T-Matrix-Zugang zu den optischen Spektren hochangeregter Halbleiter — •T. Schmielau, G. Manzke, D. Tamme und K. Henneberger
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13:00 |
HL 42.11 |
Intra-conduction band absorption of interacting electrons in disordered quantum wells — •N. Riemann, C. Metzner, and G.H. Döhler
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13:15 |
HL 42.12 |
Coulomb-Lücke in einem zweidimensionalen Elektronengas: eine Computersimulation — •M. Hofmann, M. Bockstedte und O. Pankratov
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13:30 |
HL 42.13 |
Modellierung der Wasserstoffkomplex-Bildung bei nass- chemischem Ätzen — •Steffen Knack und Jörg Weber
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