Regensburg 2000 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 43: III-V Halbleiter

HL 43.10: Talk

Friday, March 31, 2000, 12:45–13:00, H13

Einfluß der Ladungsträger auf die Bildungsbarriere von Leerstellen in InP(110)-Oberflächen — •U. Semmler, Ph. Ebert und K. Urban — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich

Die Bildung von Leerstellen in III-V-Halbleitern wird im Nichtgleichgewicht nicht nur von deren Bildungsenergien, sondern ganz wesentlich von den Energiebarrieren bestimmt. Im Gegensatz zu den Bildungsenergien sind die Bildungsbarrieren von Punktdefekten meist unbekannt. Deshalb haben wir anhand eines Modellsystems, Phosphorleerstellen auf InP(110)-Oberflächen, Faktoren bestimmt, die die Bildungsbarrieren beeinflussen. Auf frisch gespaltenen InP(110)-Spaltoberflächen entstehen thermisch im Ultrahochvakuum Oberflächenleerstellen. Mit dem Rastertunnelmikroskop haben wir auf verschieden hoch p-dotierten InP-Proben die Leerstellenkonzentration ermittelt. Aus der Zunahme der Defekte ergibt sich eine Bildungsbarriere von 1,2 eV. Mit steigender Dotierung wird eine kontinuierliche Abnahme der Bildungsbarriere beobachtet. Die Ursache des elektronischen Einflusses auf die Bildungsbarriere wird diskutiert.