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Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: III-V Halbleiter

HL 43.11: Talk

Friday, March 31, 2000, 13:00–13:15, H13

Optische Spektroskopie an AlN/GaN Quantendot-Strukturen auf Silizium- und Saphir-Substraten — •M. Dietrich1, M. Reshchikov2, H. Morkoc2 und A. Hoffmann11Inst. f. Festkörperphysik, TU-Berlin — 2VCU Dept. of Electrical Engineering, Richmond VA, USA

GaN und seine Mischverbindungen sind im Bereich

der Halbleiterphysik potentiell die wesentlichen

Ausgangsmaterialien für optische Bauelemente im grünen bis

ultravioletten Spektralbereich. Temperaturstabile Laser mit

geringen Schwellstromdichten können durch Quantendot-Strukturen

(QD-Strukturen) realisiert werden. Es wurden AlN/GaN-QD-Strukturen

untersucht, die durch Stranski-Krastanov-Wachstum auf Silizium-

und Saphir-Substarten gewachsen wurden. Beide QD-Strukturen

besitzen eine 1-2 µm dicke GaN-Bufferschicht. Die

Inselgröße wurde mittels hochauflösender

Transmissionselektronen-Mikroskopie auf >15 nm bestimmt. Zur

Bestimmung der optischen Eigenschaften wurden temperaturabhängige

Photolumineszenz-Messungen (PL) und

Photolumineszenz-Anregungsspektroskopie an diesen Proben

durchgeführt. Die temperaturabhängigen PL-Messungen zeigen,

daß die QD-Struktur bis in den Raumtemperaturbereich bei

beiden Konfigurationen stabil bleibt.

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