Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 43: III-V Halbleiter

HL 43.13: Vortrag

Freitag, 31. März 2000, 13:30–13:45, H13

Atomare Defektstrukturen in MOCVD-gewachsenem CdZnTe — •Th. Agne, T. Filz, J. Hamann, V. Ostheimer, S. Lany, H. Wolf und Th. Wichert — Universität des Saarlandes, Technische Physik, 66041 Saarbrücken

Im MOCVD-Verfahren wurde der ternäre II-VI Halbleiter Cd_1−xZn_xTe (0 ≤ x ≤ 1) als dünner Film auf einem (100) - orientierten GaAs-Substrat gewachsen.

Die vorhandenen atomaren Defektstrukturen wurden mit der
Methode der gestörten γ γ - Winkelkorrelation (PAC) untersucht. Über Photolumineszenz-Messungen (PL) wurde die Größe der Bandlücke in Abhängigkeit der Cd/Zn - Zusammensetzung der kristallinen Schicht bestimmt. Zusätzlich wurden mittels EDX und Reflexionsmessungen die Zusammensetzung und die Schichtdicke der Kristalle analysiert.

Für die PAC-Messungen wurde die Sonde ¹¹¹In/¹¹¹Cd in die Schicht eindiffundiert (T_diff = 700 K - 850 K). Nach Diffusion werden unterschiedliche Einbauplätze für die Sonde beobachtet: Der substitutionelle Donator (In_M), das A-Zentrum (In_M-V_M) und das In_M-As_Te Paar. Die Bildung von In_M-As_Te Paaren ist auf die Diffusion von As aus dem Substrat zurückzuführen. Die Beobachtung der A-Zentren in unterschied- lichen Ladungszuständen, je nach Diffusionsbedingung und Cd/Zn - Zusammensetzung der kristallinen Schicht, läßt darauf schließen, dass Ga ebenfalls aus dem Substrat in die CdZnTe-Schicht eindiffundiert ist.

Eine starke Änderung in der Cd/Zn - Zusammensetzung der Schicht zeigen Photolumineszenz-Messungen, wenn die CdZnTe-Schichten in
einer Cd- oder Zn-Atmosphäre bei T_a = 750 K getempert werden.