Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 43: III-V Halbleiter

HL 43.1: Vortrag

Freitag, 31. März 2000, 10:30–10:45, H13

Modaler Gewinn in In(Ga)As/GaAs Quantenpunktstrukturen, bestimmt unter elektrischer Injektion — •S. Bognar, O. Stier, M. Grundmann, M.-H. Mao, Ch. Ribbat, F. Heinrichsdorff und D. Bimberg — TU Berlin, PN5-2, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Der modale Gewinn von mehrfach gestapelten Quantenpunkten (QP)

auf GaAs wurde 22 K und

Raumtemperatur in Abhängigkeit von der Ladungsträgerkonzentration

für verschiedene QP-Strukturen bestimmt. Die QP liegen in einem

pn-Übergang der mit MOCVD gewachsen wurde. Zur Stromführung

werden Mesas von 24 (30) µm Stegbreite präpariert und

auf der p-Seite mit Ohmschen

Steifenkontakten versehen. Unterbrechungen in der Metallisierung

definieren Sektionen für eine Strichlängenmethode, bei der die

Ladungsträger durch elektrische Injektion anstatt durch

optisches Pumpen generiert werden. Für T<100 K

konnte in Übereinstimmung mit den Vorhersagen des Master

Equation Modells der Einluß angeregter Zustaende auf den Gewinn

beobachtet werden. Mit

steigender Temperatur dominiert der Gewinn des Grundzustandes

immer mehr. Bei Raumtemperatur enspricht das Gewinnspektrum

einer Fermiverteilung der Ladungsträger in den QP.