Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: III-V Halbleiter

HL 43.4: Vortrag

Freitag, 31. März 2000, 11:15–11:30, H13

Auswirkungen unterschiedlicher Wachstumsparameter auf die spontane Ausbildung von Übergitterordung bei InGaAs — •A. Lese¹, J. Spieler¹, T. Kippenberg¹, P. Kiesel¹, P. Velling², W. Prost², F.J. Tegude² und G.H. Döhler¹ — ¹Institut für Technische Physik I, Erwin-Rommel-Str.1, 91058 Erlangen — ²Halbleitertechnik/Halbleitertechnologie, Lotharstr. 55 LT, 47057 Duisburg

Die ternäre Verbindung InGaAs bildet unter bestimmten Wachstumsbedingungen der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) spontan ein natürliches Übergitter. Dieses besteht aus einer abwechselnden Folge galliumreicher und indiumreicher Schichten entlang der [111]_B Richtungen. Die hieraus resultierende Kristallsymmetrie beeinflußt entscheidend die elektrischen und optischen Eigenschaften des Materials. In diesem Beitrag berichten wir über die Auswirkungen unterschiedlicher Wachstumsparameter auf die Ausbildung der Übergitterordnung im Material. Dabei wurden Wachstumstemperatur und Wachstumsrate zwischen 500^∘ C und 650^∘ C bzw. zwischen 0,5 µm/h und 1,2 µm/h variiert, sowie das V/III-Verhältnis im Reaktor im Bereich zwischen 3 und 50 gewählt. Außerdem wurden Substrate unterschiedlicher Orientierung verwendet. Die Proben wurden anhand optischer bzw. elektrooptischer Messungen charakterisiert. Erstere dienten zur Untersuchung der Anisotropie der komplexen Brechzahl, und zweitere zur Bestimmung der ordnungsinduzierten Bandkantenreduktion sowie der Aufspaltung der Schwer- und Leichtlochzustände. Ferner werden wir zeigen, daß die Ergebnisse anhand eines dynamischen Wachstumsmodells verstanden werden können.