Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 43: III-V Halbleiter
HL 43.7: Talk
Friday, March 31, 2000, 12:00–12:15, H13
Identifikation einer Brom - Störstelle in GaAs durch radioaktive Elementumwandlung des Isotopes 77Br(77Se) — •F. Albrecht1, M. Risse2, N. Achtziger1, C. v. Nathusius2, C.H. Lange1, R. Vianden2 und W. Witthuhn1 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — 2Institut für Strahlen- und Kernphysik, Universität Bonn, Nußallee 14-16, 53115 Bonn
Motiviert durch Ergebnisse aus PAC-Messungen an der Sonde 77Br(77Se) in GaAs [1] wurde mit Hilfe der Methode der Radiotracer-DLTS die Lage des Energieniveaus von Bromin der Bandlücke von GaAs bestimmt. Dazu wurde zunächst das inaktive Isotop 79Br in GaAs-MBE-Schichten implantiert. Die DLTS- Spektren von n - dotiertem GaAs werden dabei dominiert vom Auftreten einer Störstelle mit den Parametern EC−ET = (0.46 ± 0.02) eV und σ = (3.6 ± 2.4) × 10−14 cm2. Um zwischen einem möglichen Strahlenschaden und einem Brom - korrelierten Niveau zu unterscheiden, wurde das Experiment unter Verwendung des radioaktiven Isotopes 77Br(77Se) wiederholt. Auf der Zeitskala des Zerfalls von 77Br zu 77Se (T1/2=57h) lässt sich im n - GaAs das Verschwinden einer Störstelle beobachten, deren Parameter mit denen des durch die 79Br - Implantation verursachten Niveaus übereinstimmt. Dadurch wurde nachgewiesen, dass es sich bei dieser Störstelle um ein Brom - korreliertes Niveau handelt. Das durch den Zerfall des 77Br(77Se) bedingte Entstehen einer Störstelle wird weder in p - noch in n - dotiertem Material beobachtet. Folglich befindet sich im untersuchten Energiebereich kein Selen-korreliertes Niveau.
[1] M. Wehner et al., Mat. Sci. For. Vols. 258-263 (1997), pp. 899-904