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Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: III-V Halbleiter

HL 43.8: Vortrag

Freitag, 31. März 2000, 12:15–12:30, H13

Excitonen in InAs-Monolagen eingebettet in GaAs/AlGaAs-Mikroresonatoren — •Susanne Hardt1, Jurana Kvietkova1, Jaro Kovac2, Bernd Rheinlaender1, Volker Gottschalch3, Alexander Kasic1 und Gabi Benndorf11Universitaet Leipzig, Fakultaet fuer Physik und Geowissenschaften, Linnestr. 5, 04103 Leipzig — 2Slowakische Technische Universitaet Bratislava, Ilkovicova 3, 81219 Bratislava, Slowakei — 3Universitaet Leipzig, Fakultaet fuer Chemie und Mineralogie, Linnestr. 3, 04103 Leipzig

Die optischen Eigenschaften von MOVPE-gezuechteten GaAs/AlGaAs

Mikroresonatoren unterschiedlicher Guete mit mehrfach

wiederholten InAs-Monolagen (ML) wurden mittels polarisierter

Reflexion, Spektralellipsometrie, Photolumineszenz und Photostrom

untersucht. Die unterschiedlichen Spacerdicken der

Absorptionsgebiete repraesentieren die Faelle von Supergittern,

beginnender Wechselwirkung zwischen Excitonen in benachbarten ML

und MQW. Die ML-Eigenschaften wurden an unverspiegelten

Strukturen unabhaengig vom Resonatoreffekt analysiert. Zur

Untersuchung der Modenkopplung von Resonator- und Excitonenmoden

wurde die Abstimmung zwischen Resonator- und Excitonenenergie

durch den Einfallswinkel und angelegte elektrische Felder

variiert. Anhand der Analyse der dielektrischen Funktion der

Absorptionsgebiete wird das Kopplungsverhalten beschrieben und

die Oszillatorstaerke von ML-Excitonen mit denen von

herkoemmlichen Quantengrabensystemen verglichen.

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