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10:30 |
HL 43.1 |
Modaler Gewinn in In(Ga)As/GaAs Quantenpunktstrukturen, bestimmt unter elektrischer Injektion — •S. Bognar, O. Stier, M. Grundmann, M.-H. Mao, Ch. Ribbat, F. Heinrichsdorff und D. Bimberg
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10:45 |
HL 43.2 |
Magnetic Circular Dichroism Studies of Carrier Induced Ferromagnetism in GaMnAs — •B. Beschoten, P.A. Crowell, I. Malajovich, D.D. Awschalom, F. Matsukura, A. Shen, and H. Ohno
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11:00 |
HL 43.3 |
Mikrostrukturierung von GaAs (100) durch photochemisches Trockenätzen — •R. Flierl, F. Koch und M. Creuzburg
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11:15 |
HL 43.4 |
Auswirkungen unterschiedlicher Wachstumsparameter auf die spontane Ausbildung von Übergitterordung bei InGaAs — •A. Lese, J. Spieler, T. Kippenberg, P. Kiesel, P. Velling, W. Prost, F.J. Tegude und G.H. Döhler
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11:30 |
HL 43.5 |
Untersuchungen zur Eindiffusion von Schwefel in Galliumarsenid — •N. Engler, R.F. Scholz, H.S. Leipner, P. Werner und U. Gösele
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11:45 |
HL 43.6 |
Spin Effects in the Local Density of States of n-Type GaAs — •Peter König, Thomas Schmidt, and Rolf J. Haug
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12:00 |
HL 43.7 |
Identifikation einer Brom - Störstelle in GaAs durch radioaktive Elementumwandlung des Isotopes 77Br(77Se) — •F. Albrecht, M. Risse, N. Achtziger, C. v. Nathusius, C.H. Lange, R. Vianden und W. Witthuhn
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12:15 |
HL 43.8 |
Excitonen in InAs-Monolagen eingebettet in GaAs/AlGaAs-Mikroresonatoren — •Susanne Hardt, Jurana Kvietkova, Jaro Kovac, Bernd Rheinlaender, Volker Gottschalch, Alexander Kasic und Gabi Benndorf
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12:30 |
HL 43.9 |
Optische Eigenschaften von GaN(y)As(1-y) (0<y<0,037) Einzelschichten und Übergitterstrukturen — •Gunnar Leibiger, Bernd Rheinländer, Volker Gottschalch, Gerrit Kirpal, J. Sik und Mathias Schubert
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12:45 |
HL 43.10 |
Einfluß der Ladungsträger auf die Bildungsbarriere von Leerstellen in InP(110)-Oberflächen — •U. Semmler, Ph. Ebert und K. Urban
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13:00 |
HL 43.11 |
Optische Spektroskopie an AlN/GaN Quantendot-Strukturen auf Silizium- und Saphir-Substraten — •M. Dietrich, M. Reshchikov, H. Morkoc und A. Hoffmann
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13:15 |
HL 43.12 |
In-situ Reflexion und Streuung an dünnen, mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellter CuInS2-Filme auf Si. — •Wolfram Calvet, H.J. Lewerenz und Christian Pettenkofer
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13:30 |
HL 43.13 |
Atomare Defektstrukturen in MOCVD-gewachsenem CdZnTe — •Th. Agne, T. Filz, J. Hamann, V. Ostheimer, S. Lany, H. Wolf und Th. Wichert
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