Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: II-VI Halbleiter

HL 44.10: Vortrag

Freitag, 31. März 2000, 12:45–13:00, H17

Wachstumsoptimierung von ZnCdSe/ZnSe Heterostrukturen mittels eines Se-Crackers — •M. Diaz, M. Klude, K. Leonardi und D. Hommel — Universität Bremen - Institut für Festkörperphysik - Bereich Halbleiterepitaxie - Kufsteiner Str. NW1, 28359 Bremen

Um die strukturellen, optischen und elektrischen Eigenschaften von ZnSe-basierenden Heterostrukturen zu verbessern, wurde eine Se-Cracker-Zelle verwendet, welche eine einfache Variation des II/VI Verhältnisses während des MBE-Wachstums erlaubt. Zum Vergleich wurden Proben mit einer herkömmlichen Se-Knudsen-Zelle gewachsen.
Zunächst wurden die ZnSe-Wachstumsparameter anhand von in-situ Ellipsometrie und RHEED optimiert. Tiefenabhängige Dotier-Profile zeigten, dass eine Änderung des II/VI Verhältnisses die p-Dotierung beeinflusst.
Bei Degradationsmessungen an herkömmlich (Se-Knudsen-Zelle) hergestellten Leuchtdioden zeigte die Lichtleistung eine 1/t Abhängigkeit. Dieses Verhalten ist auf Punktdefekte zurückzuführen, die z.B. durch Gruppe II-reiches Wachstum im Quantentrog entstehen. Daher wurden Proben mit verschiedenen II/VI Verhältnissen im Quantentrog unter Verwendung der Se-Cracker-Zelle gewachsen. Der Einfluss auf das Degradationsverhalten von ZnCdSe/ZnSe Leuchtdioden wird diskutiert.