Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 44: II-VI Halbleiter
HL 44.13: Talk
Friday, March 31, 2000, 13:30–13:45, H17
Spektroskopie von einzelnen, an Defekten lokalisierten Exzitonen. — •E. Lüthgens1, U. Woggon1, H. Wenisch2 und D. Hommel2 — 1Institut für Physik, Universität Dortmund — 2Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen
Spektroskopie an einzelnen, lokalisierten Exzitonen in Halbleitern ist ein Feld intensiver Forschung. Wir präsentieren Photolumineszenzmessungen an homoepitaktisch gewachsenen ZnSe-Schichten auf ZnSe-Substrat. Einzelne Exzitonen, die an verschiedenen Störstellen oder strukturellen Defekten lokalisiert sind, werden spektroskopiert. Bei sehr geringer Defektkonzentration ist es möglich, räumlich und spektral einzelne Emissionszentren auf Mikrometerskala zu trennen.
Es werden Donator-Akzeptor-Paarübergänge und Y-Defekte untersucht. Die phononenassistierte Emission um E=2.6 eV wird Exzitonen, die an Y-Defekten lokalisiert sind, zugeordnet. Die Huang-Rhys-Faktoren der einzelnen Emissionszentren variieren zwischen 0.2 und 0.4. Weiterhin können einige Donator-Akzeptor Paarübergänge identifiziert werden. Eine statistische Analyse an ca. 40 Defekten ergibt Energien von EDAP=2.68−2.71 eV und Linienbreiten um Δ E=4 meV. Bei Detektion mit einer CCD-Kamera wird das Blinken von Exzitonen beobachtet.