Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: II-VI Halbleiter

HL 44.14: Talk

Friday, March 31, 2000, 13:45–14:00, H17

Durchmischung von CdSe/ZnSe-Quantenfilmen während des MBE-Wachstums — •T. Passow, H. Heinke, T. Schmidt, J. Falta, K. Leonardi und D. Hommel — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen

Für das Wachstum von CdSe-Quantenfilmen in ZnSe wurde wiederholt eine starke Durchmischung berichtet, deren Ursache bislang unbekannt ist. Zu ihrer Klärung wurden am HASYLAB Crystal-Truncation-Rod-(CTR)Messungen an Proben mit nominell 1 bis 3 Monolagen dicken Quantenfilmen vorgenommen. Die Proben wurden mit Molekularstrahlepitaxie bei Wachstumstemperaturen von 240 ^∘C bis 360 ^∘C hergestellt. Die Messungen wurden durch einen Vergleich mit kinematisch berechneten Beugungsprofilen ausgewertet. Es wurde eine starke Durchmischung gefunden, wobei keine deutliche Abhängigkeit der realen Dicke von der abgeschiedenen CdSe-Menge und den Wachstumstemperaturen feststellbar war. Die Durchmischung wurde durch Diffusion und Segregation des Cadmiums während des Wachstums modelliert. Dabei zeigte sich, dass entweder Segregation oder eine deutlich (durch die Verspannung) erhöhte Diffusion vorliegt. Durch Beugung bei streifendem Einfall an offenen CdSe-Filmen konnte die Existenz von binärem CdSe nachgewiesen werden. Dies deutet darauf hin, dass die Durchmischung erst während des Überwachsens erfolgt. Segregation könnte deshalb die entscheidende Rolle im Durchmischungsprozess spielen.