Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 44: II-VI Halbleiter
HL 44.15: Vortrag
Freitag, 31. März 2000, 14:00–14:15, H17
(Ga,Mn)As - Ein vielversprechendes Material für Spinelektronik — •Thorsten Hartmann, Peter J. Klar, Wolfram Heimbrodt, Michael Lampalzer und Wolfgang Stolz — FB Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps Universität Marburg
Semimagnetische III-V Halbleiter sind vielversprechende Materialien für eine neue Generation von elektronischen Bauelementen, die neben der Ladung der Elektronen auch noch ihren Spin nutzen. Die bemerkenswerten physikalischen Eigenschaften der semimagnetischen Halbleiter beruhen auf einer Kombination von Halbleiter- und magnetischen Eigenschaften. Es wurden erfolgreich Ga1−xMnxAs Schichten auf (100) GaAs Substraten mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) gewachsen. Optische und magneto-optische Spektroskopie an den E0, E1 und E1+Δ1 Übergängen ist aufgrund der hohen strukturellen Qualität der Proben möglich. Die (Ga,Mn)As Schichten mit geringer Mn-Konzentration weisen ein paramagnetisches Verhalten mit einer starken Austauschwechselwirkung zwischen den magnetischen Momenten des Mangans und den exzitonischen Zuständen auf. Das effektive Austauschintegral der s,p-d Wechselwirkung zwischen den Mn-Ionen und den exzitonischen Zuständen bei E0 wurde bestimmt. Die (Ga,Mn)As Schichten mit höheren Mn-Konzentrationen zeigen ein ferromagnetisches Verhalten. Der Einfluss eines äußeren magnetischen Feldes auf die elektronischen und optischen Eigenschaften paramagnetischer und ferromagnetischer Proben wird diskutiert.