Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 44: II-VI Halbleiter
HL 44.5: Vortrag
Freitag, 31. März 2000, 11:30–11:45, H17
CdSe:S Quanteninseln gewachsen mit CdS-Verbindungsquelle — •E. Kurtz1, M. Schmidt1, M. Baldauf1, S. Wachter1, M. Grün1, H. Kalt1, C. Klingshirn1, D. Litvinov2 und D. Gerthsen2 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe,D–76128,Karlsruhe — 2Labor für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe,D–76128 Karlsruhe
Es wird ein neues Verfahren vorgestellt, mit dem qualitativ hochwertiges CdSe epitaktisch hergestellt werden kann. Dazu wird bei der Molekularstrahlepitaxie anstelle der üblichen Cd-Elementquelle eine CdS-Verbindungsquelle benutzt und zusätzlich Se angeboten. Bei einer Substrattemperatur von 300oC ersetzt das Selen fast vollständig den Schwefel und es bildet sich CdSe:S mit einer nur geringen Verunreinigung an Schwefel. Das neue Verfahren erlaubt die Herstellung extrem homogener Quantenstrukturen bei Einbettung dünner Schichten in ZnSe. Sehr geringe Halbwertsbreiten (12 meV bei 1.5 Monolagen CdSe) der Photolumineszenz deuten auf eine mittlere Dickenfluktuation der Quantenfilme von weniger als 1/20 einer Monolage hin. Weiterhin beobachtet man bei diesen Strukturen nicht das typische Verhalten lokalisierter Exzitonen in der temperaturabhängigen PL wie es in rauhen CdSe Quantenfilmen auftritt. Die deponierten CdSe:S-Schichten eignen sich zur Herstellung von Quanteninseln. Dazu wird die Schicht einer kurzen Wachstumsunterbrechung unterworfen, der die Umorganisation der Schicht in Quanteninseln initiiert. Diese Strukturen wurden mit Hilfe von ortsauflösenden Methoden wie TEM zur strukturellen- bzw. Mikrophotolumineszenz zur optischen Charakterisierung untersucht.