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HL: Halbleiterphysik

HL 44: II-VI Halbleiter

HL 44.9: Vortrag

Freitag, 31. März 2000, 12:30–12:45, H17

Elektrische Felder in ZnSe/BeTe Übergittern — •V. Wagner, K. Bouamama, G. Reuscher, A. Waag und J. Geur ts — Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Die Variation optischer Eigenschaften durch Aufprägen eines elektrischen Feldes ist eine Schlüsselaufgabe für optoelektronische Anwendungen. Besondere Möglichkeiten hierfür ergeben sich bei Verwendung von Typ II Übergittern, da sie einen räumlich indirekten optischen Übergang aufweisen. Dieser kann durch ein elektrisches Feld besonders stark spektral verschoben werden. Wir analysieren solche Übergänge an mittels MBE gewachsenen ZnSe/BeTe Übergittern auf GaAs(001). In diesem wide-bandgap System liegt der räumlich indirekte Übergang bei ca. 2eV (λ≈ 610nm). Während die Lage des niedrigsten Übergangs mit Photolumineszenz ermittelt werden kann, wird eine genauere Charakterisierung des Systems (Valenzbandoffset, effektive Massen) erst durch die Analyse von weiteren höheren optischen Übergängen möglich. Diese werden von uns mittels Elektroreflexion bestimmt. Rechnungen in Rahmen der effektiven Massennäherung erlauben die Zuordnung der gemessenen Übergänge. Wegen des breiten Energiebereichs ist es erforderlich die k-Abhängigkeit der Massen in den Rechnungen zu berücksichtigen. Die hierfür benötigten Parameter wurden durch Anpassung an LDA-Bandstrukturrechnungen bestimmt. Aufgeprägte elektrischer Felder modifizieren charakteristisch die optischen Übergänge. Ein Oszillator–Modell wird vorgestellt, welches diesen Vorgang quantitativ in den Elektroreflexionsspektren beschreibt.