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Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Heterostrukturen

Montag, 27. März 2000, 10:30–13:30, H14

10:30 HL 4.1 Electronic states and band alignment in GaInNAs/GaAs quantum well structures — •M. Hetterich, M.D. Dawson, A. Yu. Egorov, D. Bernklau, and H. Riechert
10:45 HL 4.2 Hochsensibler monolitisch integrierter Wellenlängendetektor — •M. Müller, T. Kippenberg, J. Spieler, P. Kiesel, S. Malzer, T. Krieger und G.H. Döhler
11:00 HL 4.3 Die Rolle der Elektron-Phonon-Kopplung bei der Temperaturabhängigkeit elektronischer Zustände einer InAs Monolagenstruktur — •H. Scheel, A.R. Goñi, A. Cantarero, S. Reich, C. Thomsen und P.V. Santos
11:15 HL 4.4 Lokalisierung an einem stufenformigen Potentialprofil — •A.V. Kolesnikov
11:30 HL 4.5 Kollektive elektronische Anregungen des 2DEGs im Bereich der Reststrahlenbande — •E. Ulrichs, L. Karsten, C. Schüller, Ch. Heyn und D. Heitmann
11:45 HL 4.6 Phononresonanz im Response eines Halbleiter-Übergitter-Detektors für THz-Strahlung — •F. Klappenberger, S. Winnerl, E. Schomburg, K.F. Renk, A. A. Ignatov, W. Wegscheider und A.F.G. van der Meer
12:00 HL 4.7 Halbleiter-Übergitter-Oszillator bei 150 GHz — •R. Scheuerer, E. Schomburg, S. Brandl, K.F. Renk, D.G. Pavelev, Yu.I. Koschurinov, V.M. Ustinov und P.S. Kopev
12:15 HL 4.8 Halbleiter-Übergitter mit S-förmiger Strom-Spannungs-Kennlinie — •M. Ellmauer, E. Schomburg, K.F. Renk, H. Steuer, A. Wacker und E. Schöll
12:30 HL 4.9 Einfluß der Verringerung der Elektronendichte auf elementare Anregungen eines 2D-Elektronengases. — •U. Haboeck, A.R. Goñi, M. Danckwertz, C. Thomsen und K. Eberl
12:45 HL 4.10 Einfluss von Te-Zwischenschichten auf die elektronische Struktur von ZnSe/GaAs(100)–Grenzflächen — •Th. Gleim, C. Heske, E. Umbach, C. Schumacher, W. Faschinger, C. Ammon, M. Probst und H.-P. Steinrück
13:00 HL 4.11 Grazing Incidence Diffraction Strain Analysis of a laterally modulated QW System produced by Focused Ion Implantation — •U. Pietsch, A. Daniel, J.P. Reithmaier, and A. Forchel
13:15 HL 4.12 Laterale Strukturierung von GaAs/AlAs Quantentöpfen mit fokussierten Ionenstrahlen: Einfluß des Channeling auf die Tiefenverteilung — •S. Eshlaghi, J. Koch, H.W. Becker, D. Reuter, D. Suter und A.D. Wieck
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