Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 5: Quantenpunkte und Quantendr
ähte: Theorie

HL 5.7: Talk

Monday, March 27, 2000, 12:00–12:15, H15

Monte-Carlo-Simulation des Wachstums selbstorganisierter Quantenpunkte mit anisotroper Oberflächendiffusion — •M. Meixner¹, R. Kunert¹, S. Bose¹, E. Schöll¹, V. A. Shchukin^2,3, D. Bimberg², E. Penev⁴ und P. Kratzer⁴ — ¹Institut für Theoretische Physik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Germany — ²Institut für Festkörperhysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Germany — ³Ioffe Physical Technical Institute, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg, 194021, Russia — ⁴Fritz-Haber-Institut der MPG, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin, Germany

Wir untersuchen das selbstorganisierte Wachstum von Quantenpunkten im Stranski-Krastanov-Wachstumsmodus in einer kinetischen Monte-Carlo-Simulation, wobei wir Effekte wie Deposition, Diffusion an der Oberfläche und Verpannungsfelder mitberücksichtigen. Die Verpannungsfelder basieren auf der kontinuumsmechanischen Beschreibung anisotroper Medien. Für die realitätsnahe Modellierung des Einflusses der Verspannung benutzen wir in Falle von InAs/GaAs(001) Ergebnisse aus ab initio Berechnungen der Bindungsenergien und Diffusionsbarrieren eines In-Atoms auf dem verspannten Kristall. In der Diskussion betrachten wir die Größenverteilung der Punkte, die räumliche Anordnung und die Form in Abhängigkeit von Wachstumsparametern wie Temperatur, Depositionsrate und Bedeckung.