Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 8: Photonik

HL 8.10: Talk

Monday, March 27, 2000, 18:45–19:00, H17

Optische Reflexionseigenschaften nanostrukturierter Silizium-Oberflächen — •K. Hadobas — Gerhard-Mercator-Universität Duisburg, Tieftemperaturphysik, 47048 Duisburg

Es wird über optische Reflexionsmessungen an grosflächigen,

periodisch strukturierten Silizium-Oberflächen im Wellenlängenbereich

von 200nm bis 3000nm berichtet. Die periodisch strukturierten

Si-Oberflächen werden mit optischer Interferenzlithographie und

reaktivem Ionen-Ätzen hergestellt. Alle Proben verfügen über eine

periodische Anordnung von Löchern in Si mit einer Periodizität von

300nm. Die Strukturtiefe wird im Bereich von 35nm bis 190nm variiert.

Mit zunehmender Strukturtiefe wird im Vergleich zu einem

unstrukturierten Silizium Substrat eine drastische Abnahme des

Reflexionsvermögens um bis zu 85% im Wellenlängenbereich < 1000nm

beobachtet, die zum einen durch Streuung des Lichtes und zum anderen

durch den sog. “Mottenaugeneffekt” hervorgerufen wird. Eine

experimentell beobachtete oszillatorische Abnahme des

Reflexionsvermögens in Abhängigkeit der optischen Strukturtiefe

bestätigt die Gültigkeit einer effektiv Medium Theorie zur

Erkärung des “Mottenaugeneffektes”.