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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Quantendr
ähte

HL 9.10: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 18:45–19:00, H15

Erste Schritte zur Nanostrukturierung von schichtkompensierten, modulationsdotierten GaAs/AlGaAs-Feldeffekttransistoren — •D. Kähler¹, U. Kunze¹, D. Reuter² und A. D. Wieck² — ¹Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 150 IC2, D-44780 Bochum — ²Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstr. 150 NB03, D-44780 Bochum

Bei einem konventionellen modulationsdotierten Feldeffekttransistor (MODFET) bewirkt ein Abätzen der Oberfläche (Recess) eine Verarmung des Elektronenkanals. Durch ein verändertes Schichtdesign – mit einer p-dotierten Deckschicht – kann durch das Abätzen des p-dotierten Bereichs eine Anreicherung der Elektronendichte erzielt werden. Die Schwellenspannung eines solchen Transistors mit Recess liegt um 0.3 V niedriger als die eines MODFET mit intakter Kompensationsschicht.

Durch eine Nanostrukturierung der Deckschicht ist es nun möglich, eine lokale Potentialmodulation im Bereich des Kanals zu erzielen, deren Auswirkungen im Leitwert beobachtet werden können. Die ersten experimentellen Ergebnisse auf dem Weg zum Quantendraht werden vorgestellt.