Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Quantendr
ähte

HL 9.2: Talk

Monday, March 27, 2000, 16:45–17:00, H15

Temperaturabhängigkeit von Leitwertfluktuationen in monomodigen Quantendrähten — •F. Ertl¹, M. Rother¹, W. Wegscheider^1,2, M. Bichler¹ und G. Abstreiter¹ — ¹Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching — ²Institut für Angewandte und Experimentelle Physik, U Regensburg, D-93040 Regensburg

Mit der Methode des Überwachsens von Spaltflächen (Cleaved Edge Overgrowth) werden hochreine eindimensionale Elektronenkanäle mit einer Breite von 250Å und Längen zwischen 5µm und 50µm hergestellt [1]. Eine Gateelektrode erlaubt die Variation der Elektronendichte und damit der Fermienergie in den Quantendrähten. Wir messen den Leitwert als Funktion der Fermienergie und der Temperatur im Bereich von 350mK bis 10K. Es werden reproduzierbare Leitwertfluktuationen beobachtet, die den Plateaus des quantisierten Leitwerts überlagert sind. Daraus ermitteln wir die Varianz dieser Leitwertfluktuationen Var(G) in Abhängigkeit der Temperatur T für monomodige Quantendrähte verschiedener Länge. Die Varianz besitzt ein von der Temperatur unabhängiges Verhalten unterhalb einer Übergangstemperatur T_L. Für Temperaturen oberhalb von T_L beobachten wir ein Potenzgesetz Var(G) ∼ T^−α, dessen Exponent α eine charakteristische Abhängigkeit von der Länge hat. Zusätzlich zeigt sich für die Übergangstemperatur T_L ein längenabhängiges Verhalten. Diese Ergebnisse werden im Rahmen des Luttinger-Flüssigkeits-Modells diskutiert.

[1] A. Yacoby et al., Phys. Rev. Lett. 77, 4612 (1996)

[2] S. R. Renn et al., Phys. Rev. Lett. 78, 4091 (1997)