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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Quantendr
ähte

HL 9.3: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 17:00–17:15, H15

Überwachsene GaAs/AlGaAs-Quantendrähte — •Sven Beyer, Christian Klein, Stefan Kramp, Christian Heyn und Wolfgang Hansen — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, 20355 Hamburg

Wir untersuchen GaAs-Quantendrähte, welche von allen Seiten von AlGaAs eingeschlossen sind. Diese vergleichen wir mit konventionellen, durch in-situ Ätzverfahren aus GaAs/AlGaAs- Heterostrukturen hergestellten Quantendrähten. Bei herkömmlichen Quantendrähten führen durch Ätztschäden und die freiliegende GaAs-Oberfläche bedingte Oberflächenzustände zu einer Verringerung der Ladungsträgerdichte und einer Vergrößerung des einschließenden Potentials. Die durch MBE-Überwachsen hergestellten, vollkommen eingeschlossenen Quantendrähte zeigen dagegen eine deutlich reduzierte Dichte der Oberflächenzustände. Messungen mit Ferninfrarotspektroskopie (FIR) an überwachsenen Proben demonstrieren im Vergleich zu nicht überwachsenen Referenzproben eine um 10% niedrigere Resonanzenergie und eine aus der Oszillatorstärke bestimmte um bis zu 40% höhere Elektronendichte. Die Resultate werden in Hinblick auf die Herstellung noch kleinerer Quantendrähte, auch für optische Anwendungen, diskutiert.