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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Quantendr
ähte

Montag, 27. März 2000, 16:30–19:00, H15

16:30 HL 9.1 Geometrie-Effekte der Leitwertquantisierung in Quantendrähten — •G. Kießlich, A. Wacker und E. Schöll
16:45 HL 9.2 Temperaturabhängigkeit von Leitwertfluktuationen in monomodigen Quantendrähten — •F. Ertl, M. Rother, W. Wegscheider, M. Bichler und G. Abstreiter
17:00 HL 9.3 Überwachsene GaAs/AlGaAs-Quantendrähte — •Sven Beyer, Christian Klein, Stefan Kramp, Christian Heyn und Wolfgang Hansen
17:15 HL 9.4 New Selection Rules for Resonant Raman Scattering on Quantum Wires — •E. Mariani, B. Kramer, and M. Sassetti
17:30 HL 9.5 Self-consistent nonlinear RPA screening of strong Coulomb scatterer by one-dimensional electron gas — •P. Vagner, M. Moško, and Th. Sch"apers
17:45 HL 9.6 Untersuchung der Ladungsträgerdynamik einzelner Quantendrähte mittels Femtosekunden-Nahfeld-Spektroskopie — •T. Günther, V. Emiliani, Ch. Lienau, Th. Elsaesser, R. Nötzel und K.H. Ploog
18:00 HL 9.7 Photolumineszenz- und Transportuntersuchungen heißer Elektronen in modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Quantendrähten in V-Gräben — •A. Schwarz, A. Kaluza, Th. Schäpers, H. Hardtdegen, H. Lüth, A.C. Maciel, J. Kim, E. O’Sullivan und J.F. Ryan
18:15 HL 9.8 Luttinger-Flüssigkeitsparameter der eindimensionalen
Elektronenflüssigkeit
— •Wolfgang Häusler, Charles E. Creffield und Allan H. MacDonald
18:30 HL 9.9 Quantisierter Ladungstransport mit akustischen Oberflächenwellen im Gigahertzbereich — •Jens Ebbecke, Martin Blöcker, Klaus Pierz und Franz Josef Ahlers
18:45 HL 9.10 Erste Schritte zur Nanostrukturierung von schichtkompensierten, modulationsdotierten GaAs/AlGaAs-Feldeffekttransistoren — •D. Kähler, U. Kunze, D. Reuter und A. D. Wieck
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