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Mo, 09:30–10:30 |
H17 |
HL 1: Hauptvortrag |
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Mo, 10:30–13:15 |
H17 |
HL 2: Symposium: Photonische Kristalle |
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Mo, 10:30–13:30 |
H13 |
HL 3: Amorphe Halbleiter/Epitaxie |
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Mo, 10:30–13:30 |
H14 |
HL 4: Heterostrukturen |
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Mo, 10:30–13:00 |
H15 |
HL 5: Quantenpunkte und Quantendr
ähte: Theorie |
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Mo, 15:00–15:45 |
H15 |
HL 6: Hauptvortrag |
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Mo, 15:45–16:30 |
H15 |
HL 7: Hauptvortrag |
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Mo, 16:30–19:00 |
H17 |
HL 8: Photonik |
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Mo, 16:30–19:00 |
H15 |
HL 9: Quantendr
ähte |
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Mo, 16:30–19:00 |
H13 |
HL 10: Diamant |
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Mo, 16:30–19:00 |
H14 |
HL 11: SiC |
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Mo, 14:00–19:00 |
A |
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation |
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Di, 09:30–13:30 |
H15 |
HL 13: Symposium: Der Quanten-Hall-Effekt wird 20 (I) |
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Di, 09:30–13:00 |
H13 |
HL 14: Optische Eigenschaften |
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Di, 09:30–13:00 |
H14 |
HL 15: Photovoltaik I |
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Di, 09:30–13:00 |
H17 |
HL 16: Störstellen/Grenz- und Oberfl
ächen I |
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Di, 15:00–19:15 |
H15 |
HL 17: Symposium: Der Quanten-Hall-Effekt wird 20 (II) |
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Di, 15:00–18:45 |
H14 |
HL 18: Halbleiterlaser |
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Di, 15:00–19:00 |
H13 |
HL 19: GaN I |
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Di, 15:00–19:00 |
H17 |
HL 20: Ultrakurzzeitdynamik I |
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Mi, 14:30–15:15 |
H15 |
HL 21: Hauptvortrag |
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Mi, 15:15–16:00 |
H15 |
HL 22: Hauptvortrag |
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Mi, 16:00–19:00 |
H17 |
HL 23: Grenz- und Oberfl
ächen II |
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Mi, 16:00–19:00 |
H14 |
HL 24: Transporteigenschaften |
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Mi, 16:00–19:00 |
H15 |
HL 25: Quantenpunkte (optische Eigenschaften) |
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Mi, 16:00–19:15 |
H13 |
HL 26: Bauelemente |
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Mi, 14:00–19:00 |
A |
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70) |
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Do, 09:30–10:30 |
H01 |
HL 28: Hauptvortrag |
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Do, 10:30–13:30 |
H01 |
HL 29: Symposium: Infrarot-oberfl
ächenemittierende Halbleiterlaser |
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Do, 10:30–13:30 |
H13 |
HL 30: Organische Bauelemente |
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Do, 10:30–13:30 |
H14 |
HL 31: Photovoltaik II |
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Do, 10:30–13:30 |
H15 |
HL 32: Quantenpunkte |
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Do, 15:00–16:00 |
H15 |
HL 33: Hauptvortrag |
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Do, 16:00–19:00 |
H20 |
HL 34: Symposium: Carbon Nanotubes (SYNA) |
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Do, 16:00–18:00 |
H14 |
HL 35: Ultrakurzzeitdynamik II |
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Do, 16:00–18:30 |
H13 |
HL 36: Quantenpunkte (Herstellung und Charakterisierung) |
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Do, 16:00–19:00 |
H15 |
HL 37: GaN II |
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Do, 14:00–19:00 |
B |
HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71) |
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Fr, 09:30–10:30 |
H15 |
HL 40: Hauptvortrag |
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Fr, 10:30–13:20 |
H15 |
HL 41: Symposium: Spin-dependent transport in semiconductors - towards a spin transistor |
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Fr, 10:30–13:45 |
H14 |
HL 42: Elektronentheorie |
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Fr, 10:30–13:45 |
H13 |
HL 43: III-V Halbleiter |
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Fr, 10:30–14:15 |
H17 |
HL 44: II-VI Halbleiter |
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