DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Regensburg 2000 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

M: Metallphysik

M 12: Diffusion

M 12.3: Talk

Thursday, March 30, 2000, 10:45–11:00, H6

71Ge-Diffusion in amorphem Si28C36N36 — •S. Matics1, J. Bill2, F. Aldinger2 und W. Frank1,21Inst. f. Theoret. u. Angew. Physik der Univ. Stuttgart — 2MPI f. Metallforschung, Stuttgart

Amorphes (a-)Si28C36N36 ist ein metastabiles Zwischenprodukt, das bei der Herstellung kristalliner Keramiken auf Si–C–N-Basis aus polymerem Polyvinylsilazan durch Pyrolyse bei 1050oC entsteht und aus amorphen (a-)C- und (a-)Si3N4-Domänen von etwa gleicher Größe (ca. 1 nm) und gleichem Volumenanteil (ca. 50%) aufgebaut ist [1]. Temperungen oberhalb der Herstellungstemperatur führen zu einer Vergröberung der Domänenstruktur.
In a-Si28C36N36 und a-Si3N4 wurde die Si-Selbstdiffusion durch Messungen der Diffusion implantierter 71Ge-Radioisotope „simuliert“. Unabhängig von der thermischen Vorbehandlung gehorcht der 71Ge-Diffusionskoeffizient in a-Si28C36N36 Arrhenius-Gesetzen mit demselben, ungewöhnlich hohen präexponentiellen Faktor 0,2 m2s−1. Dagegen wächst die Diffusionsenthalpie von 4,6 eV im Herstellungszustand durch thermische Vorbehandlung an und erreicht nach 2-stündiger Vortemperung bei 1350oC 5,5 eV. Durch Vergleich dieser Ergebnisse mit denen über die 71Ge-Diffusion in a-Si3N4 wird geschlossen, daß in a-Si28C36N36 die 71Ge-Diffusion ausschließlich in der a-Si3N4-Phase und mit Hilfe „ausgeschmierter“ Leerstellen erfolgt.
S.Schempp, Dissertation, Universität Stuttgart (1999)

100% | Mobile Layout | Deutsche Version | Contact/Imprint/Privacy
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2000 > Regensburg