Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 10: Rastersondentechniken (I)

O 10.1: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 16:15–16:30, H44

Neues Tieftemperatur-STM für in situ-Wachstumsexperimente — •Guido Piaszenski, Andreas Lange und Ulrich Köhler — Experimentalphysik IV, Ruhr-Universität Bochm, D-44780 Bochum

Für die Durchführung von Diffusions- und Wachstumsexperimenten

bei tiefen Temperaturen wurde ein UHV-Rastertunnelmikroskop

entwickelt, das es erlaubt, Proben auch im eingekühlten Zustand

zu bedampfen und die Oberfläche dabei in situ zu untersuchen.

Hierzu wurde ein zwei Kammer-UHV-System aufgebaut:

Die eine Kammer dient zur Präparation der Proben, während in

der zweiten Kammer das STM an der Kaltfläche eines

LHe-Badkryostaten aufgehängt ist. Sowohl Proben als auch

STM-Spitzen können gewechselt werden, ohne das Mikroskop

erwärmen zu müssen.

Das Bedampfen der Proben kann sowohl in der Präparationskammer

als auch in der Kryostatenkammer erfolgen. Hierzu sind

verschiedene MBE-Verdampferquellen in beiden Kammern vorhanden.

Direkt im STM können so kleinste Mengen des Verdampfermaterials

definiert auf die Probe gebracht werden. Damit wird es möglich

sein, Diffusionsprozesse der Adatome auf der Oberfläche sowie

einzelne Schritte des Wachstums in situ zu untersuchen. Über

eine interne Heizung kann die Temperatur der Probe variiert

werden.

Präsentiert werden erste Ergebnisse der Funktionsweise des STM.