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O: Oberflächenphysik
O 10: Rastersondentechniken (I)
O 10.1: Vortrag
Montag, 27. März 2000, 16:15–16:30, H44
Neues Tieftemperatur-STM für in situ-Wachstumsexperimente — •Guido Piaszenski, Andreas Lange und Ulrich Köhler — Experimentalphysik IV, Ruhr-Universität Bochm, D-44780 Bochum
Für die Durchführung von Diffusions- und Wachstumsexperimenten
bei tiefen Temperaturen wurde ein UHV-Rastertunnelmikroskop
entwickelt, das es erlaubt, Proben auch im eingekühlten Zustand
zu bedampfen und die Oberfläche dabei in situ zu untersuchen.
Hierzu wurde ein zwei Kammer-UHV-System aufgebaut:
Die eine Kammer dient zur Präparation der Proben, während in
der zweiten Kammer das STM an der Kaltfläche eines
LHe-Badkryostaten aufgehängt ist. Sowohl Proben als auch
STM-Spitzen können gewechselt werden, ohne das Mikroskop
erwärmen zu müssen.
Das Bedampfen der Proben kann sowohl in der Präparationskammer
als auch in der Kryostatenkammer erfolgen. Hierzu sind
verschiedene MBE-Verdampferquellen in beiden Kammern vorhanden.
Direkt im STM können so kleinste Mengen des Verdampfermaterials
definiert auf die Probe gebracht werden. Damit wird es möglich
sein, Diffusionsprozesse der Adatome auf der Oberfläche sowie
einzelne Schritte des Wachstums in situ zu untersuchen. Über
eine interne Heizung kann die Temperatur der Probe variiert
werden.
Präsentiert werden erste Ergebnisse der Funktionsweise des STM.