Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.1: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Homoepitaktisches Wachstum von Fe auf der bcc (110) und (100)-Oberfläche: STM-Untersuchungen und Monte Carlo Simulationen — •Claudia Wolf¹, Werner Breilmann¹, Christoph Jensen¹, Ulrich Köhler¹, Alexander Schindler² und Dietrich Wolf² — ¹Experimentalphysik IV, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum — ²Theoretische Physik, Gerhard Mercator Universität, Duisburg

Das Wachstum von Eisen auf bcc (110)- und (100)-Oberflächen wurde mittels zeitaufgelöster Raster-Tunnel-Mikroskopie untersucht und mit kinetischen Monte Carlo Simulationen, die die korrekte Symmetrie der Oberfläche berücksichtigen, verglichen. Für die Simulationen wurde im Falle der (110)-Oberfläche ein Satz von Aktivierungsenergien mittels eines Finnis-Sinclair-Potentials ermittelt, für die (100)-Oberfläche wurde ein bond-counting-Modell benutzt. Anfangsbilder einer STM-Bildsequenz wurden als Startkonfiguration der Simulationen benutzt und die im folgenden errechneten Bilder direkt mit den STM-Daten verglichen. Alle charakteristischen Merkmale des Wachstums konnten durch Simulationen reproduziert werden. Auf die gleiche Weise wurde das Coarsening-Verhalten bei erhöhter Temperatur untersucht. Das Verhalten auf der (110)-Oberfäche läßt sich nur mit einer Schwöbel-Barriere, die von der Größenordnung der Diffusionsbarriere ist, simulieren. Auf Fe(100) dagegen läßt sich schon bei 370 K perfektes Lagenwachstum erreichen, was einer SB von 1/10 der Diffusionsenergie entspricht.