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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.106: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

H induzierte Erosion und Charakterisierung dünner a-Si:H Filme auf Pt(100) — •Thomas Zecho¹, Birgit Brandner¹ und Jürgen Küppers^2,1 — ¹Experimentalphysik III, Universität Bayreuth, D-95440 Bayreuth — ²Inst. für Plasmaphysik, D-85748 Garching, EURATOM-Association

Amorphe Si-H Filme wurden nach Absättigung der Oberflächennahen Schichten eines Pt(100)-Kristalls mit Silizium und anschließender Bildung von Platinsilizid, mittels IBD aus Si₂H₆ bei Raumptemperatur, mit einer Dicke von 10 - 200 Monolagen, reproduzierbar abgeschieden. Die Charakterisierung der Schichten mit AES, EELS, HREELS und TDS zeigt polymerartige Filme, die sich im Temperaturbereich von 550 K - 700 K unter ausschließlicher Desorption von SiH₄ und H₂ verdichten. Bei Temperaturen größer 700 K löst sich die Schicht im Kristall unter Bildung von Platinsilizid. Die Erosion der Schichten wurde durch direkten Produktnachweis mittels eines differentiell gepumpten QMS verfolgt. Temperatur- und Schichtdickenabhängigkeit der H induzierten chemischen Erosion wurden untersucht.