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O: Oberflächenphysik
O 11: Postersession (Eröffnung)
O 11.122: Poster
Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C
InAs-Cluster in HOPG-Nanopits — •Theophilos Maltezopoulos1, Markus Morgenstern1, Stephan Haubold2 und Roland Wiesendanger1 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr.11, D-20355 Hamburg, Deutschland — 2Institut für Physikalische Chemie, Bundesstrasse 45, 20146 Hamburg, Deutschland
einmal Mittels Tieftemperatur-Rastertunnelspektroskopie soll die elektronische Struktur von InAs-Clustern spektroskopiert werden. Hierzu müssen die zunächst ligandenstabilisierten, in Toluol gelösten Cluster (⊘: 2−10 nm) auf einer Oberfläche deponiert werden. Wir wollen sie in HOPG-Nanopits deponieren und anschließend von der Ligandenhülle befreien: Zuerst wird die HOPG-Probe Ionenbeschuß ausgesetzt und dann an Luft bei 500oC geheizt. Dieser Vorgang erzeugt, je nach Ausheizzeit und Ionen-Energie, ein bis drei Monolagen tiefe Pits von 2 bis 10 nm Durchmesser (1). Nachdem die Cluster in diesen Pits deponiert worden sind, werden sie durch Heizen im Hochvakuum von der organischen Ligandenhülle befreit. Die Präparation wird unter Schutzgasatmosphäre mittels RTM überprüft. Schließlich erfolgen Vergleiche mit Spektroskopieuntersuchungen an spitzeninduzierten InAs-Quantenpunkten (2).
(1) H. Hövel et al., J. Appl. Phys. 81, 154 (1997) (2) R. Dombrowski et al., Phys. Rev. B 59, 8043 (1999)