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O: Oberflächenphysik
O 11: Postersession (Eröffnung)
O 11.12: Poster
Monday, March 27, 2000, 19:00–22:00, Bereich C
Wachstumskinetik von CaF2/Si(111) im Submonolagenbereich — •M. Bierkandt, J. Hernandez-Toro, J. Wollschläger und M. Henzler — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, D-30167 Hannover
Mithilfe der Rastertunnelmikroskopie (STM) wird die Wachstumskinetik des heteroepitaktischen
Systems CaF2/Si(111) im Submonolagenbereich untersucht.
Der Nukleationstheorie folgend wird
die Diffusionsbarriere von CaF2 auf Si(111) über die Temperaturabhängigkeit
der CaF2-Inseldichte bestimmt[1].
Auf vicinalen Substraten gewinnt die Stufennukleation mit steigender Temperatur immer
mehr an Einfluß. Dies ermöglicht die Berechnung der Diffusionsbarriere aus der Übergangstemperatur
Terrassennukleation ↔ Stufennukleation. Dazu wird ein Modell, das über eine nichtlineare
Diffusionsgleichung diesen Übergang in der Homoepitaxie beschreibt[2], allgemein für die Heteroepitaxie
erweitert und auf das System CaF2/Si(111) angewendet.
Hierbei ist neben der Temperatur die Terrassenbreite ein wesentlicher Parameter.
Beide Modelle zeigen unabhängig voneinander, daß die Diffusionsbarriere von CaF2/Si(111)
1.6 eV beträgt.
[1] J.A. Venables, G.D.T. Spiller and M. Hanbücken, Rep. Prog. Phys. 47, 399 (1984)
[2] A. Myers-Beaghton and D.D. Vvedensky, Phys. Rev. B 42, 5544 (1990)