Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.132: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Die atomare Struktur der (2×2)_C-Phase von SiC(0001) — •J. Bernhardt, A. Seubert, M. Nerding, U. Starke und K. Heinz — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg

Die Struktur der hexagonalen Flächen von SiC hat erheblichen Einfluß auf das Wachstum von SiC-Schichten und Kristallen. Im Gegensatz zur nominell Si terminierten SiC(0001)-Fläche ist über SiC(0001) wenig bekannt. Durch Heizen einer durch Wasserstoffätzen vorbehandelten Probe dieser Orientierung können verschiedene Rekonstruktionsphasen erzeugt werden. Die Struktur einer dabei entstehenden (2×2)_C-Phase (mit C indiziert zur Unterscheidung von einer zweiten, siliziumreicheren (2×2)_Si-Phase) wurde mit Beugung langsamer Elektronen (LEED) quantitativ untersucht. Wir finden auch in der (2×2)_C-Phase einen leichten Überschuß an Si, nämlich ein Si-Adatom pro Einheitszelle. Dieses besetzt eine dreifach koordinierte Mulde oberhalb der Lücke in der obersten SiC-Bilage, den sogenannten H3-Platz. Von den drei im 6H-Polytyp möglichen Stapelterminierungen bevorzugt die Oberfläche jene, die sich durch eine entgegengesetzte Orientierung der beiden obersten Bilagen (hexagonale Stapelung) auszeichnet, die sogenannte S1-Terminierung. Dies steht im Gegensatz zur (0001)-Fläche, die vorzugsweise von gleichorientierten Bilagen terminiert wird (kubische Stapelung). Dies kann Unterschiede im Wachstumsverhalten der beiden Flächen erklären. (Gefördert von der DFG im SFB 292)