Regensburg 2000 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 11: Postersession (Eröffnung)
O 11.135: Poster
Monday, March 27, 2000, 19:00–22:00, Bereich C
Wechselwirkung niederenergetischer Edelgasionen mit Graphitoberflächen — •Alexander Theobald1 und Jürgen Küppers2 — 1Lehrstuhl Experimentalphysik III, Universität Bayreuth, 95440 Bayreuth, Deutschland — 2Lehrstuhl Experimentalphysik III, Universität Bayreuth, 95440 Bayreuth, Deutschland; Max-Planck-Institut für Plasmaphysik (EURATOM Association), 85748 Garching, Deutschland
HOPG-Oberflächen wurden bei Raumtemperatur mit niedrigdosierten (10e13 Ionen/cm2), niederenergetischen (Ekin = 100 eV) Edelgasionen (Helium, Argon, Xenon) beschossen.
Die Oberfläche wurde (im UHV) charakterisiert mit EELS, AES, TDS und - in der Hauptsache - AFM und STM.
Die Graphitoberfläche zeigt in SPM zufällig verteilte, isolierte Störungen mit atomaren Dimensionen, deren Flächendichte der angebotenen Dosis entspricht.
Sie sind sowohl topographischer, wie auch elektronischer Natur, und haben ihre Ursache in Fehlstellen und unmittelbar unterhalb der Oberfläche eingeschlossenen Teilchen.
STM erweist sich als geeignetes Mittel, derartige Defekte zu analysieren, in AFM werden sie wegen des grösseren Wechselwirkungsbereiches schlechter aufgelöst.
Die TDS- und AES-Ergebnisse zeigen, dass die Projektile mehrere Tage in der Probe eingeschlossen bleiben, ein Teil der He-Atome desorbiert bereits bei Raumtemperatur.