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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.148: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Erzeugung und Charakterisierung künstlicher Nanostrukturen in Si mittels Rastersondenverfahren unter Verwendung von OTS als Resistmaterial — •A. Brechling, M. Sundermann, D. Meiners, K. Rott, U. Kleineberg und U. Heinzmann — Fakultät für Physik, Universität Bielefeld, Universitätsstraße 25, D–33615 Bielefeld

Wir haben die Verwendung eines Self Assembled Monolayers (SAM) als ultradünnen Resistfilm für das naßchemische Ätzen von Nanometerstrukturen in Siliziumoxid untersucht. Octadecyltrichlorsilane bilden spontan auf einer hydroxilierten Siliziumoxidschicht, die auf der natürlichen Oxidschicht des Siliziums präpariert wurde, eine organisierte Monolage aus. Bedingt durch den kleinen Abstand der adsorbierten Kettenmoleküle besitzen diese selbstorganisierten Monolagen als Resist das Potential zur Strukturierung im Nanometerbereich. Die Strukturierung der Resistschicht erfolgt mit dem STM unter UHV–Bedingungen durch Abrastern. Naßchemisch wurden die Strukturen mittels HF in das Siliziumoxid und anschließend durch KOH–Ätzen in das Siliziumsubstrat übertragen. Die mittels STM erzeugte und naßchemisch geätzte Struktur wurde hinsichtlich der Strukturgenauigkeit mit AFM und STM analysiert.