Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.154: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Sauerstoff-Adsorption auf der reinen und Kupfer-bedeckten Iridium(100)-Oberfläche — •Bernhard Schaefer, Björn Schöler und Klaus Wandelt — Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Universität Bonn, Wegelerstr. 12, 53115 Bonn

Die stabile Konfiguration der reinen Ir(100) besteht in einer

quasi-hexagonalen (5x1)-Rekonstruktion. Jedoch kann auch eine

unrekonstruierte, metastabile Ir(1x1) präpariert werden. Auf

dieser wurden pseudomorphe Cu-Filme aufgewachsen. Die

dissoziative Sauerstoff-Adsorption auf den reinen

Ir-Oberflächen wie auch auf Cu-Filmen wurde mittels LEED, TDS,

AES, UPS und Austrittsarbeits-Messungen charakterisiert.

Adsorption bei 670K auf Ir(1x1) verläuft über drei

verschiedene LEED-Phasen: (8x1), (10x2), and (2x1). Längeres

Heizen der sauerstoffbedeckten Oberfläche führt zur

Inkorporation von Sauerstoff-Atomen. Adsorption auf einer

Cu-Monolage bei erhöhten Temperaturen resultiert in einer

Aufrauhung des Films unter Clusterbildung und partieller

Freilegung des Substrats.