Regensburg 2000 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.16: Poster

Monday, March 27, 2000, 19:00–22:00, Bereich C

SPA-LEED kontrolliertes Schichtwachstum auf Halbleitern – neue Ansätze zur Datenerfassung — •Marcus Eßer, Herbert Wormeester und Bene Poelsema — MESA+ Research Institute, University of Twente, P.O. Box 217, NL-7500 AE Enschede, The Netherlands

Die in-time Kontrolle des Schichtwachstums stellt besondere Anforderungen an die Datenerfassungssoftware. Schwächen des herkömmlichen Programms machten die Entwicklung verschiedener Klassen notwendig. Mit dem neuen Spotfinder ist jetzt die kontinuierliche Messung der Spotintensitäten möglich, selbst bei stark driftenden Spots während des Aufdampfens sowie im Bereich von Intensitätsminima. Die volle Integration der Elektronenenergiesteuerung erlaubt einfaches und schnelles Aufnehmen von I/V-Kurven und k_⊥/k_∥-scans. Die Implementierung der Fernsteuerbarkeit wichtiger experimenteller Parameter (w.z.B. Probentemperatur, Aufdampfgeschwindigkeit) führt zu weitgehend automatisiert ablaufenden Messungen, die bei Bedarf auch über das Internet gesteuert werden können. Experimelle Resultate werden für die Homoepitaxie auf Si(111) gezeigt.