Regensburg 2000 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.17: Poster

Monday, March 27, 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Wachstum auf Si(100)-Tafelbergen — •Volkmar Zielasek¹, Feng Liu², Adam Li², Jeff Maxson² und Max G. Lagally² — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, 30167 Hannover — ²Materials Research Group, University of Wisconsin, 1500 Engineering Dr., Madison, WI 53706, U.S.A.

Auf fotolithografisch strukturierten Si(100)-Oberflächen können wir mittels Homoepitaxie stufenlose Terrassen mit Durchmessern von mehr als 20 µ m erzeugen. Wir nutzen diese Terrassen, um mit Low-energy electron microscopy (LEEM) bei vernachlässigbarem Einfluss von Substratstufen oder dem Materialaustausch zwischen Inseln die Wechselwirkung von Verspannungsfeldern bei der Homo- und Ge/Si-Heteroepitaxie zu studieren. So zeigt sich beim Beobachten des Wachstums einer einzelnen Insel von der Nukleation bis zum Durchmesser von einigen Mikrometern das Verhältnis der Halbachsen der elliptischen Inselfläche als mit der Inselgröße zunehmend. Wir präsentieren ein theoretisches Modell, das zur Beschreibung neben den unterschiedlichen Energien der Inselrandstufen vom S_A- und S_B-Typ auch die Wechselwirkung derer Verspannungsfelder berücksichtigt und quantitativ gute Übereinstimmung mit dem Experiment ergibt.