Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.18: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Van der Waals-Xenotaxie: Wachstum von GaSe auf Si(111), Si(110), Si(100) und GaAs(110) — •R Rudolph¹, C Pettenkofer¹, A Klein² und W Jaegermann² — ¹Hahn-Meitner-Institut, Bereich Physikalische Chemie, 14109 Berlin — ²TU Darmstadt, FB Materialwissenschaft, 64287 Darmstadt

Das Wachstum des Schichthalbleiters GaSe auf unterschiedlichen Silizium- und GaAs-Oberflächen wurde mit Photoelektronenspektroskopie und Beugung langsamer Elektronen untersucht. Die Oberflächenpräparation erfolgte durch Heizen auf 1000^∘ für Silizium und durch Spalten für GaAs. Anschliessend wurden GaSe-Schichten durch Molekularstrahlepitaxie bei einer Probentemperatur von 450^∘ aufgewachsen. Die GaSe Schichten wuchsen in allen Fällen mit ihrer hexagonalen c-Achse senkrecht zur Substratoberfläche. Zu Beginn des Wachstums wird eine chemisch abgesättigte Oberfläche erzeugt, auf der die Schichten mit geringer Wechselwirkung zum Substrat aufwachsen können. Die Epitaxierelation wird durch die Orientierung der Schicht entlang einer Achse des Substrats bestimmt. Damit ist auch die Präparation kristalliner Schichten auf Substraten mit verschiedener Symmetrie möglich: van der Waals-Xenotaxie (Xeno=fremd).