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O: Oberflächenphysik
O 11: Postersession (Eröffnung)
O 11.30: Poster
Monday, March 27, 2000, 19:00–22:00, Bereich C
HREELS-Untersuchungen an 3C-SiC(100)-Oberflächen — •T. Balster1, F.S. Tautz1, V. Polyakov1, H. Ibach2 und J.A. Schaefer1 — 1TU Ilmenau, Institut für Physik,PF 100565 , D-98684 Ilmenau — 2Forschungszentrum Jülich, IGV, D-52425 Jülich
Wir haben mittels hochauflösender Elektronenenergieverlustspektroskopie
(HREELS) den Einfluß der Dotierung und der Temperatur auf die
gekoppelten, kollektiven Anregungen der optischen Oberflächenphononen
(Fuchs-Kliewer-Phononen) und Oberflächenplasmonen der
Leitungsbandelektronen in Abhängigkeit von der Rekonstruktion
(2×1) und c(2×2) untersucht. Durch Anpassung der
elektronischen Parameter der SiC(100)-Oberfläche wie
Oberflächenladungsdichte und Bandverbiegung werden aus
selbstkonsistenten Elektronendichteprofilen im Rahmen der
Dipolstreutheorie theoretische EELS-Spektren berechnet und mit den
experimentellen Spektren verglichen. Differenzen zwischen gemessenen und
gerechneten Spektren können dabei durch Modellierung eines
zweidimensionalen Elektronengases (2DEG) an der Oberfläche ausgeglichen
werden. Weiterhin ist die Frequenz der gekoppelten Anregungen in
Abhängigkeit von der Dotierung aus theoretischen Rechnungen bestimmt
und mit den experimentellen Ergebnissen verglichen worden.
In
Messungen bei tiefen Temperaturen nach Ausfrierung der freien Elektronen
konnten in Einklang mit der jeweiligen Terminierung sowohl SiH
Streckschwingungen als auch CH Streck-, Biege-, und Scherenschwingungen
beobachtet werden.