Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.31: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Optische und elektronische Eigenschaften der Al(110) Oberfläche — •M. Gensch¹, Th. Herrmann¹, K. Stahrenberg¹, Ch. Schultz², Ch. S. Søndergaard², Ph. Hofmann², N. Esser¹ und W. Richter¹ — ¹TU Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Institute for Storage Ring Facilities, University of Århus, 8000 C, Denmark

Die Oberflächen von Aluminium lassen sich gut durch die Jellium-Näherung beschreiben und sind deshalb ein wichtiges Modellsystem für die Oberflächenoptik von Metallen. Wir untersuchten den Einfluß von Oberflächen-Interbandübergängen auf die optischen Eigenschaften der Al(110) Oberfläche mit winkelaufgelöster Photoemissionsspektroskopie (ARUPS) und Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS). Die gefundenen Oberflächenzustände stimmen gut mit den Vorraussagen einer Tight Binding Rechnungen von Wang et. al. [1] überein, ein Zustand bei S konnte erstmals experimentell gefunden werden.

Im untersuchten Spektralbereich gibt es keine Beiträge dieser Oberflächenzustände zum RAS Spektrum. Eine Struktur bei 1.48eV kann einem oberflächennahen Interbandübergang in der Volumenbandstruktur zugeordnet werden.

[1] X. W. Wang and W. Weber, Phys. Rev. B 35, 7404 (1987)