Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.33: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

k^→-aufgelöste Inverse Photoemission an 3C-SiC(001) Oberflächen — •C. Benesch, H. Merz und H. Zacharias — WWU Münster, Physikalisches Institut, Wilhelm-Klemm-Straße 10, 48149 Münster

Das Interesse an der geometrischen und der elektronischen Struktur von rekonstruierten Siliziumkarbid-Oberflächen ist in letzter Zeit sehr groß. Wir untersuchen in diesem Zusammenhang die unbesetzten elektronischen Zustände von Silizium-terminierten 3C-SiC(001) Oberflächenrekonstruktionen.

Es konnten die fünf verschiedene Oberflächenrekonstruktionen (1 × 1), (2 × 1), (3 × 2), c(2 × 2) und (5 × 2) durch Heizen der Siliziumkarbid-Probe im Silizium-Strahl präpariert und mittels LEED eindeutig identifiziert werden. AES-Messungen zeigen für jede Rekonstruktion charakteristische Si/C-Peakverhältnisse.

Bisher sind an der (2×1)- und der (3 × 2)-rekonstruierten 3C-SiC(001) Oberfläche erfolgreich k^→-aufgelöste Inverse Photoemissionspektren (IPE) aufgenommen und daraus Oberflächenbandstrukturen bestimmt worden.