Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.37: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Wachstum und elektronische Eigenschaften des quasi-van der Waals-Epitaxie Systems GaSe/Si(111) — •R Rudolph¹, C Pettenkofer¹, A Klein² und W Jaegermann² — ¹Hahn-Meitner-Institut, Bereich Physikalische Chemie, 14109 Berlin — ²TU Darmstadt, FB Materialwissenschaft, 64287 Darmstadt

Das Wachstum und die elektronische Bandanpassung der quasi van der Waals-Epitaxie Grenzfläche zwischen dem Schichthalbleiter GaSe und Si(111) wurde mit Photoelektronenspektroskopie und der Beugung langsamer Elektronen (LEED) untersucht. Als Ausgangspunkt für das Schichtwachstum dienten chemisch präparierte Si(111):H Oberflächen, sowie Si(111)-(7x7) Oberflächen die durch Heizen im UHV präpariert wurden. Unabhängig von der Ausgangssituation bildet sich eine Oberflächenterminierung des Siliziums aus, die durch Si-Ga-Se Bindungen charakterisiert ist. Die Ga-Se Lage der Oberflächenterminierung entspricht einer halben GaSe Einzellage und bildet daher eine chemisch abgesättigte Oberfläche auf der das GaSe Schichtwachstum durch van der Waals-Epitaxie erfolgt. Die elektronische Bandanpassung kann schrittweise, beginnend mit der Bildung eines Oberflächendipols durch die Halblagenterminierung, verfolgt werden.