Regensburg 2000 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 11: Postersession (Eröffnung)
O 11.39: Poster
Monday, March 27, 2000, 19:00–22:00, Bereich C
Elektronische Struktur des Schichthalbleiters WS2 — •J. Augustin1, V. Eyert2,3, R. Schardin1, T. Stemmler1, S. Rogaschewski1, C. Janowitz1 und R. Manzke1 — 1Humboldt-Universität zu Berlin, Institut für Physik, Invalidenstraße 110, 10115 Berlin — 2Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin — 3Universität Augsburg, Institut für Physik, Universitätsstr. 1, 86135 Augsburg
Es wird ein Überblick über die Herstellung, Kristallstruktur und
elektronische Struktur des Schichtkristalls WS2 gegeben. Die
kristallinen Eigenschaften sind zum einen mittels
Röntgenstrahldiffraktometrie und zum anderen mit Hilfe der Beugung
niederenergetischer Elektronen (LEED) untersucht worden.
Desweiteren ist die stöchiometrische Zusammensetzung der Proben mittels
energiedispersiver Röntgenmikroanalyse (EDX) analysiert worden.
Die elektronische Eigenschaften von WS2 sind sowohl experimentell
als auch theoretisch betrachtet worden. Mittels winkelaufgelöster
Photomissionsspektroskopie (ARPES) unter Zuhilfenahme variabler
Photonenenergie als Anregungsenergie (Synchrotronstrahlung von
DORIS III) konnte eine dreidimensionale Bandstruktur in den Meßrichtungen
Γ A, Γ K und Γ M aufgenommen werden. Diese
experimentellen Ergebnisse werden mit einer gerechneten Bandstruktur, die
auf der Dichtefunktionaltheorie (DFT) in der lokalen Dichteapproximation
(LDA) basiert, verglichen. Insbesondere konnte in Übereinstimmung die Lage
des Valenzbandmaximums am Γ-Punkt bestimmt werden.