Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.5: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Wachstum von Cu auf einer gestuften Re(0001)-Oberfläche — •Astrid Mohr, Klaus Christmann und Ronald Wagner — FU Berlin, Inst. f. Chemie, Takustr. 3, 14195 Berlin

Auf einem gestuften Re(0001)–Kristall (monoatomare Stufen, Terrassenbreite ∼ 30−200Å wurde Kupfer bei Temperaturen zwischen 300K und 600K im UHV aufgedampft und mit STM, XPS, AES, LEED und TDS im Bedeckungsbereich 0 < Θ < 12 ML untersucht. Im Submonolagenbereich erfolgt die Keimbildung überwiegend an den Stufenkanten, und die Keime wachsen dendritisch auf die Terrassenflächen hinaus. Bei Bedeckungen Θ > 1ML bilden sich bei erhöhter Temperatur neue Strukturen, unter anderem ca. 20Å breite Cu–Doppelstränge. Die hohe Stufendichte bewirkt, daß neben

den (0001)–Terrassenplätzen 5 bis 10% Kantenplätze mit geänderten Bindungsverhältnissen der Cu-Atome vorliegen. Dies belegt

die gegenüber denen von einer sehr wenig gestuften (0001)–Fläche deutlich geänderte Form der TD-Spektren, die bei den Mono- und Bilagenzuständen keine gemeinsame Anstiegsflanke mehr aufweisen. Bedeckungsgrade Θ > 2 und niedrige Depositionstemperaturen um 300

K verursachen dreidimensionales (Cluster)–Wachstum (Stranski–Krastanov). Beim Erhitzen verdichtet sich diese Schicht, ohne

aber völlig kompakt zu werden.