Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.69: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Rauhigkeitsanalyse an Silciumoberflächen mit AFM, Neigungsmikroskopie und Streulicht — •S. Schröder, G. Schnasse und M. Henzler — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstraße 2, 30167 Hannover

Die den Realraum abrasternden Mikroskope (AFM oder STM) messen Oberflächenrauhigkeiten auf einer lateralen Skala von atomaren Abständen bis in den µ m-Bereich. Diese Rauhigkeiten werden für sehr kleine laterale Abstände durch die Spitzenform beeinflußt. Bei der Detektion von Rauhigkeiten auf größeren lateralen Skalen wird diese allerdings zunehmend durch die Instrumentenfunktion des Ablenkpiezos erhöht, so daß gerade die langwelligen Raumwellenlängen mit Fehlern behaftet sind.

Mit der hier benutzten Streulichtapparatur ist die Detektion der langen Raumwellenlängen zwischen 1 µ m und 7 µ m mit einer Ortsauflösung von 10 µ m möglich. Diese ortsaufgelöste Streulichtintensität variiert bei polierten Siliciumscheiben und konnte mit den Rauhigkeiten aus den AFM-Messungen nach Separation des Instrumenteneinflusses korreliert werden. Ein in die Streulichtapparatur integriertes Neigungsmikroskop nimmt zusätzlich lokale Oberflächenneigungen in einem Bereich von 10 µ m auf, so daß durch Integration auf die Topographie, bis zum maximal betrachteten Rasterbereich von 2 mm Kantenlänge, zurückgerechnet werden kann. Die Darstellung der aus den drei Meßmethoden erhaltenen Ergebnisse in einem Powerspektrum ergibt gute Übereinstimmungen, so daß sich ein Spektrum über mehr als 5 Größenordnungen angeben läßt.