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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.79: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Aufbau eines in-situ SPM für die Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) — •B. Rähmer, F. Poser, M. Pristovsek, D. Pahlke, J.-T. Zettler und W. Richter — TU Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

In der MOVPE ermöglichen die etablierten optischen in-situ Untersuchungsmethoden nur eine indirekte und qualitative Analyse der Oberflächentopographie. Um die optischen Signale zu kalibrieren, wurde ein Hochtemperatur-in-situ-Raster-Sonden-Mikroskop zur direkten Abbildung der Wachstumsoberfläche in den MOVPE-Prozess integriert. An ein solches in-situ SPM werden erhöhte Anforderungen gestellt, wie Eignung für hohe Temperaturen, Schwingungsdämpfung im Gasstrom und die Notwendigkeit kurzer Aufnahmezeiten. Insbesondere darf der Wachstumsprozess nicht gestört werden.

Das in-situ SPM kann als STM oder AFM betrieben werden. Die senkrecht laufende Grobannäherung wird durch ein Scherpiezo-Walker realisiert. Der AFM-Modus basiert auf der elektronischen Dämpfung eines 3 MHz-Membranschwingquarzes mit aufgeklebter Glasfaserspitze. Damit schwingt die Sondenspitze vertikal zur Probenoberfläche und ermöglicht somit das für in-situ Anwendungen notwendige schnelle Rastern.

Neben den apparativen Entwicklungen werden erste Ergebnisse zum Step-bunching und Inselwachstum vorgestellt.