Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 15: Elektronische Struktur (I)
O 15.2: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 11:30–11:45, H37
Röntgenemissionsuntersuchungen zur elektronischen Struktur von Be-Verbindungen — •R. Fink1, D. Eich1, A. Fleszar2, C. Heske1, U. Groh1, M. Keim3, G. Reuscher3, A. Waag3 und E. Umbach1 — 1Universität Würzburg, Experimentelle Physik II, Am Hubland, 97074 Würzburg — 2Universität Würzburg, Theoretische Physik II — 3Universität Würzburg, Experimentelle Physik III
Bei der Beschreibung der ”normalen” Röntgenemissionsspektroskopie (XES) werden Anregungs- und Zerfallsprozess als unabhängige Dipolübergänge beschrieben. Anregungsenergieabhängige XES–Untersuchungen (Anregungsenergien im weichen Röntgenbereich) für schwellennahe Anregung (resonante XES) zeigen jedoch, dass Anregungs- und Emissionsprozess oft stark gekoppelt sind und im Einstufenmodell mit wohldefinierter Impulserhaltung erklärt werden müssen. Damit wird die resonante XES zu einer Methode zur Untersuchung der elektronischen Volumenbandstruktur von halbleitenden und sogar isolierenden Materialien. Abhängig vom untersuchten System können aber nicht-k-erhaltende, inkohärente Prozesse (z.B. Elektron-Elektron-Wechselwirkung, Phononenstreuung und exzitonische Effekte) dominieren, die die Impulserhaltung zerstören. Die Ergebnisse an den II-VI-Halbleitern BeTe und BeSe zeigen den Übergang, an dem das Bild der kohärenten Beschreibung zusammenbricht. Die Unterschiede der resonanten XES Daten für BeTe und BeSe werden durch den Vergleich mit theoretischen Rechnungen bezüglich der Gültigkeit des Einschrittmodells für die Beschreibung resonanter XES diskutiert.