Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 15: Elektronische Struktur (I)

O 15.4: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 12:00–12:15, H37

Untersuchungen zur elektronischen und geometrischen Struktur von As auf Si(111) mit einem Elliptischen Spiegel Analysator* — •T. Dütemeyer¹, C. Quitmann², M. Kitz¹, M. Gari¹, L.S.O. Johansson¹ und B. Reihl¹ — ¹Universität Dortmund, Experimentelle Physik I, D-44221 Dortmund — ²Swiss Light Source, Paul Scherrer-Institut, CH-5232 Villigen

Wir berichten über Messungen der elektronischen und geometrischen Struktur von As auf Si(111) mit einem an unserem Lehrstuhl aufgebauten Elliptischen Spiegel Analysator (ESA). Der Analysator erlaubt die komplette Messung einer 2D Photoelektronenverteilung I(θ,φ) für jeweils eine Energie innerhalb weniger Sekunden. Dadurch eignet er sich insbesondere zum Studium der elektronischen Struktur reaktiver Oberflächen und dynamischer Prozesse. Der ESA erreicht eine Winkel- bzw. Energieauflösung von Δθ=Δφ =±1^∘ und ΔE=75 meV bei typischen Aufnahmezeiten von 5 s im Bereich des Valenzbandes. Eine Elektronenkanone als weitere Anregungsquelle ermöglicht den Betrieb des Analysators im LEED, EELS und AES Modus ohne eine Veränderung der Probenposition. Wir zeigen die Möglichkeiten dieses Gerätes am Beispiel von As auf Si(111), das bei Raumtemperatur eine 1x1 Struktur mit einer ausgeprägten Dispersion des Oberflächenzustandes bildet [1]. Die Lage dieses Bandes im 2D k-Raum und die Transformation dieser Daten in konventionelle Energieverteilungskurven zur Bestimmung der Dispersion wird dargestellt.

[1] R.I.G. Uhrberg et al., Phys. Rev. B 35, 3945 (1987)

[*] Unterstützt von OMICRON Vakuumphysik GmbH, Taunusstein