Regensburg 2000 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 15: Elektronische Struktur (I)
O 15.6: Talk
Tuesday, March 28, 2000, 12:30–12:45, H37
Kernspinrelaxationsmessungen: Eine hochauflösende Methode der elektronischen Spektroskopie?† — •Chr. Weindel1, H.J. Jänsch1, G. Kirchner1, O. Kühlert2, R. Platzer1, R. Schillinger2, H. Winnefeld1 und D. Fick1 — 1Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften der Philipps-Universität, D-35032 Marburg — 2Max-Planck-Institut für Kernphysik, Postfach 103980, D-69029 Heidelberg
Die elektronische Struktur der Si(111)-(7×7) Oberfläche wird in der
Nähe des Ferminiveaus bekanntermaßen von den besetzten und unbesetzten
Zuständen der Adatome bestimmt. Frühe EELS-Experimente zeigen eine
temperaturabhängige Verbreiterung des quasielastischen Peaks, wie sie für
eine metallische Oberfläche erwartet wird [1]. Sie standen damit
bisher im Widerspruch zur relativ kleinen Dispersion des S1-Zustandes.
Die T1-Kernspinrelaxationszeit
von 8Li-Sondenatomen wird entscheidend von besetzten und
unbesetzten Zuständen am Ferminiveau bestimmt.
Die Temperaturabhängigkeit der T1-Zeiten läßt sich durch
einen nur wenige Millielektronenvolt breiten metallischen Zustand
am Ferminiveau erklären. Diese Ergebnisse werden im Zusammenhang mit
neueren Photoemissionsexperimenten zur Dispersion des S1-Zustandes
diskutiert [2].
† Gefördert durch das BMBF unter 05 SE8 RMA2.
[1] B.N.J. Persson und J.E. Demuth, Phys. Rev. B 30 (1984), 5968
[2] R.I.G. Uhrberg et al., Phys. Rev. B 58 (1998), R1730